About this product
- Contains Dangerous Goods?:Tidak
Product description
Tegangan Drain-Source Maksimum (Vds): 200V
Arus Drain Kontinu (Id): 130A (Tc = 25°C)
Rds(on): 6.5 mΩ (max) pada Vgs = 10V
Daya Disipasi Maksimal (Pd): 520W (Tc = 25°C)
Tegangan Gerbang-Source Maksimum (Vgs): ±20V
Pengisian Gerbang (Qg): 330 nC (typ) pada Vgs = 10V
Waktu Turn-on (ton): 86 ns
Waktu Turn-off (toff): 170 ns
Kapasitansi Input (Ciss): 14200 pF
Tegangan Drain-Source Maksimum: 200V, membuatnya cocok untuk aplikasi yang memerlukan tegangan tinggi.
Arus Drain Kontinu: 130A, memungkinkan penggunaan dalam aplikasi dengan kebutuhan arus tinggi.
Rds(on) yang Rendah: 6.5 mΩ, membantu mengurangi kehilangan daya dan meningkatkan efisiensi.
Daya Disipasi Maksimal: 520W, memungkinkan MOSFET untuk digunakan dalam aplikasi daya tinggi.
Switching Cepat: Waktu turn-on dan turn-off yang cepat memungkinkan efisiensi dalam aplikasi switching cepat.
Tegangan Gerbang-Source Maksimum: ±20V, memberikan fleksibilitas dalam kontrol gerbang.
Paket TO-247: Paket standar yang memungkinkan disipasi panas yang baik dan kemudahan dalam pemasangan.
MOSFET IRFP4668 banyak digunakan dalam aplikasi seperti catu daya switching, inverter, dan pengendali motor, berkat kemampuannya untuk menangani tegangan dan arus tinggi dengan efisiensi tinggi dan switching yang cepat.