About this product
- Contains Dangerous Goods?:Tidak
Product description
Harga Promo Stok Terbatas
Pemesanan di atas pukul 15.00 WIB akan diproses hari berikutnya
Jenis: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
Tipe: N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Tegangan Drain-Source Maksimum (Vds): 600V
Arus Drain Maksimum (Id): 80A
Resistansi RDS(on): Kecil, biasanya beberapa milliohm (nilai spesifik tergantung pada kondisi pengujian)
Kapasitansi Input (Ciss): Sekitar beberapa ribu picofarad (pF)
Pengisian Gate (Qg): Biasanya beberapa ratus nanocoulomb (nC)
Suhu Operasional: Biasanya antara -55°C hingga +150°C
Paket/Kemasan: Biasanya TO-247 atau sejenisnya
Karakteristik Elektris dan Termal
Tegangan Gate-Source Maksimum (Vgs): ±20V
Daya Disipasi Maksimum (Pd): Beberapa ratus watt, tergantung pada kemasan dan pendinginan
Threshold Voltage (Vgs(th)): Biasanya 2-4V
Suhu Junction Maksimum (Tj): 150°C
MOSFET FGH40N60 sering digunakan dalam aplikasi seperti:
Catu daya switching (SMPS)
Pengendalian beban tinggi
Tegangan Breakdown Tinggi: Memungkinkan operasi pada tegangan yang lebih tinggi.
Arus Drain Tinggi: Mampu menangani arus yang besar.
RDS(on) Rendah: Mengurangi kehilangan daya dan meningkatkan efisiensi.
Cepat Switching: Memungkinkan efisiensi yang lebih tinggi dalam aplikasi switching.
Dengan spesifikasi di atas, MOSFET FGH40N60 adalah pilihan yang baik untuk aplikasi daya tinggi yang membutuhkan kinerja andal dan efisiensi tinggi.