Kingston Memory RAM KVR32S22S8/8 DDR4-3200 8GB

Catu Daya: VDD = 1.2V Khas VDDQ = 1.2V Khas• VPP = 2.5V Khas VDDSPD = 2.2V hingga 3.6V Nominal dan Dynamic On-die Termination (ODT) untuk sinyal data, strobo, dan mask Rendah -power auto self refresh (LPASR) Data bus inversion (DBI) untuk data bus Pembuatan dan kalibrasi VREFDQ on-die Single-rank On-board I2 serial EEPROM (SPD) EEPROM 16 bank internal; 4 kelompok masing-masing 4 bank Fixed burst chop (BC) dari 4 dan panjang burst (BL) dari 8 melalui mode register set (MRS) BC4 atau BL8 yang dapat dipilih on-the-fly (OTF) Topologi fly-by Perintah kontrol dan bus alamat yang dihentikan PCB: Tinggi 1,18” (30.00mm) Sesuai RoHS dan Bebas Halogen CL(IDD) : 22 cycles Row Cycle Time (tRCmin) : 45.75ns(min.) Refresh to Active/RefreshCommand Time (tRFCmin) : 350ns(min.) Row Active Time (tRASmin) : 32ns(min.) UL Rating : 94 V - 0 Operating Temperature : 0o C to +85o C Storage Temperature : -55o C to +100o C